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陝西省最高科學技術獎獲得者郝躍:深耕微電子,引領新方向

“既然選擇了做科研,就要瞄准國家重大需求,腳踏實地,擇善而固執。”2019年度陝西省最高科學技術獎獲得者、中國科學院院士、西安電子科技大學學術委員會主任郝躍表示。

郝躍1982年畢業于西北電訊工程學院(西安電子科技大學前身),1998年獲國家科技進步獎三等獎,2008年和2009年分獲國家科技進步獎二等獎和國家技術發明獎二等獎,2010年獲“何梁何利”科學與技術進步獎,2013年當選中國科學院院士,2015年再獲國家科技進步獎二等獎。2019年他的團隊獲得了國家科技進步獎一等獎。

他以自身經曆,诠釋了科學家的責任與擔當。

“微電子不微。”這是郝躍常說的一句話。隨著信息科技的發展,以集成電路芯片爲核心的微電子技術,不僅與我們的生活息息相關,更是國家核心競爭力的體現。新型氮化物半導體國際上稱爲第三代材料,又稱爲寬禁帶半導體材料。氮化物半導體器件在通信、電力系統、照明、生物、醫療,以及軍事領域具有十分廣泛的應用前景。

2004年,宽禁带半导体材料与器件教育部重點實驗室挂牌,这个专门的机构为更深入地进行科學研究提供了有力支撑;2005年前后,国内宽禁带半导体产业开始发展之时,西安电子科技大学的宽禁带半导体研究已经有了深厚的积累,出版了国内最早探讨宽禁带半导体的专著《碳化硅宽带隙半导体技术》;2007年,宽带隙半导体技术国家重点学科实验室获批;2019年,国家工程研究中心建设获批。

如今,以郝跃为学术带头人的宽带隙半导体技术国家重点学科实验室,已成为国内外宽禁带半导体材料和器件科學研究、人才培养、学术交流、成果转化方面的重要基地,引领我国宽禁带半导体研究自主发展,服务产业工程应用。

“我們要相信自身的實力,我們的目標還在更高更遠處!”郝躍經常這樣勉勵團隊成員。目前,郝躍及其團隊依然在爲更低能耗、更優性能的半導體器件與集成電路芯片發展而不懈奮鬥。


(图片策划:信息中心“西電時光” 栏目组;文章:“陕西日报”张梅;图片制作:小虎牙工作室)

 

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